галлия антимонид
ГАЛЛИЯ АНТИМОНИД (стибнид галлия) GaSb
светлосерые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,609593 нм); т. пл. 712 °C; плота. 5,6137 г/см3 (20 °C); C0 48,6 Дж/(моль∙К); 65,19 кДж/моль, −44,2 кДж/моль; S0298 76,17 Дж/(моль∙К); при высокомдавлении существует тетрагон, модификация; тройная точка: температура 385 °C, давл. 5,58 ГПа; температурный коэф. линейного расширения 6,7∙10−6 К−1; теплопроводность 35Вт/(м∙К) (27 °C); = 15,69. Полупроводник; при 27 °C ширина запрещенной зоны 0,79 эВ, подвижность электронов 4000 см2 /(В∙с), дырок 800 см2 /(В-с); эффективная масса электронов проводимости me = 0,45m0 (m0-масса свободного электрона). Г. а. устойчив на воздухе и в воде, медленно взаимод. с минеральными кислотами и конц. растворами щелочей.
Получают GaSb сплавлением Ga с 5%-ным избытком Sb в атмосфере Н, в кварцевых или графитовых контейнерах, после чего GaSb гомогенизируют зонной плавкой. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского в атмосфере H2. Г. а. — полупроводниковый материал для СВЧ-диодов, транзисторов, микроволновых детекторов и др.
П. И. Федоров