галлия фосфид

ГАЛЛИЯ ФОСФИД GaP

оранжевые или зеленовато-желтые кристаллы с алмазным блеском; решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,54495 нм); т. пл. 1790 °C — плотн. 4,1297 г/см³, жидкого 4,6 г/см³ (1790 °C); C_p^o 44,0 Дж/(моль∙К); −102,6 кДж/моль, 122,4 кДж/моль; S⁰₂₉₈ 51,9 Дж/(мол*К); температурный коэф. линейного расширения 5,78∙10⁻⁶ К⁻¹; теплопроводность 110 Вт/(м∙К) при 27 °C; 10,2. Полупроводник; при 27 °C ширина запрещенной зоны 2,25 эВ; подвижность электронов 300 см²/(В∙с), дырок 150 см²/(В∙с).

Г. ф. устойчив к действию кислорода воздуха до ~ 700 °C, не взаимод. с водой, практически не реагирует с H₂SO₄ и соляной кислотой, медленно взаимод. при нагр. с азотной и фтористоводородной кислотами, царской водкой, разлагается растворами щелочей при нагревании с выделением PH₃.

В виде плотного слитка GaP получают сплавлением Ga с Р под давлением паров Р, в виде пористого слитка — действием PH₃ на расплав Ga. Монокристаллы выращивают методами зонной плавки или вытягиванием по Чохральскому из-под флюса В₂O₃ под давлением Ar, небольшие монокристаллы-из растворов GaP в расплаве Ga. Порошкообразный GaP получают восстановлением GaPO₄ водородом или CO при 800–1000 °C. Эпитаксиальные пленки GaP наносят аналогично пленкам галлия арсенида. Для легирования монокристаллов и пленок GaP используют добавки Те, Se, S, Sn, Zn, Cd, Ge.

GaP-полупроводниковый материал для светодиодов, солнечных батарей, датчиков Холла, оптических фильтров и др.

^{Лит.: [Марина Л. И, На шсльски и А. Я.], Фосфид галлия, М., 1965; Фосфид галлия, Киш., 1969.}

_{П. И. Федоров}