индия антимонид

ИНДИЯ АНТИМОНИД InSb

серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,647877 нм, z = 4, пространственная группа F43m): т. пл. 525,2 °C; плотн. 5,775 г/см3, жидкого — 6,430 г/см3 (550 °C); С0p 49,56 Дж/(моль∙К); ΔH0пл 65,35 кДж/моль, ΔH0обр −30,66 кДж/моль; S0298 87,44 Дж/(моль∙К); температурный коэф. линейного расширения 4,7∙10−6 К−1; теплопроводность 30–40 Вт/(м∙К) при 200 К. Полупроводник: ε 17,7 ( −196 °C); ширина запрещенной зоны 0,2355 эВ (0 К), 0,180 эВ (298 К); эффективная масса электронов проводимости те = 0,013m0, дырок тр = 0,42m0 (m0 — масса своб. электрона); при 77 К подвижность электронов 1,1∙106 см2/(В∙с), дырок 9,1∙103 см2/(В∙с). И. а. устойчив на воздухе и в парах воды при температурах до ~ 300 °C. Взаимод. с конц. HNO3 и смесями HNO3 и фтористоводородной кислоты, HNO3 и соляной кислоты, HNO3, винной и молочной кислот, H2O2 и винной кислоты, H2O2 и фтористоводородной кислоты. Для травления поверхности кристаллов с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений наиб. часто используют смесь состава 5HNO3 → 3CH3COOH → 3HF. Получают И. а. сплавлением In со Sb в кварцевом контейнере в вакууме (~0,1 Па) при 800–850 °C. Очищают зонной плавкой в атмосфере H2. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского в атмосфере инертного газа (Ar, He, N2) или H2 либо в вакууме (~ 50 кПа). Эпитаксиальные пленки получают: осаждением из раствора InSb в расплаве In при 350–450 °C; методом молекулярно-лучевой эпитаксии (реакцией мол. пучков In и Sb в вакууме 10−9 Па с послед. осаждением на нагретую до 400–500 °C подложку); методом вакуумного напыления (пары InSb в вакууме ~ 10−4 Па конденсируются на нагретой до 350–400 °C подложке из InSb). И. а. — полупроводниковый материал для фотоприемников ИК излучения, датчиков эффекта Холла, усилителей электрич. мощности.

Лит.: Полупроводниковые соединения AIIIBV, под ред. Р. Виллардсона и Х. Геринга, пер. с англ., М., 1967, с. 327–42, 476–83; Горелик С. С., Дашевский М. Я., Материаловедение полупроводников и металловедение, М., 1973; Нашельский А. Я., Технология полупроводниковых материалов, М., 1987.

М. Г. Мильвидский

Источник: Химическая энциклопедия на Gufo.me