индия арсенид

ИНДИЯ АРСЕНИД InAs

серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,605886 нм, z = 4, пространственная группа F43m); т. пл. 943 °C; плотн. 5,666 г/см³, жидкого 5,850 г/см³ (970 °C); С⁰_p 49,32 Дж/(моль∙К); ΔH⁰_пл 77,2 кДж/моль, ΔH⁰_обр −57,9 кДж/моль. S⁰₂₉₈ 76 Дж/(моль∙К); температурный коэф. линейного расширения 5,19∙10⁻⁶ К⁻¹; теплопроводность 122 Вт/(м∙К). Полупроводник: ε 11,7; ширина запрещенной зоны 0,43 эВ (0 К), 0,46 эВ (300 К); эффективная масса электронов проводимости т_е = 0,22m₀, дырок m_р = 0,33m₀ (m₀ — масса своб. электрона); подвижность электронов 3,4∙10⁴ см²/(В∙с) при 300 К и 8,2∙10⁴ см²/(В∙с) при 77 К, подвижность дырок 460 см²/(В∙с) при 300 К и 690 см²/(В∙с) при 77 К. И. а. устойчив на воздухе и в парах воды до ~ 300 °C. Взаимод. с конц. соляной и серной кислотами, водными растворами сильных окислителей (напр., H₂O₂), смесями азотной, фтористоводородной и уксусной кислот, а также азотной и соляной кислот с H₂O₂. Эти смеси используют для травления поверхности кристаллов И. а. с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений. Получают И. а. в кварцевых ампулах взаимод. расплава In с парами As, давление которых составляет 32,7 кПа при 800–900 °C. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского вытягиванием из-под слоя флюса жидкого В₂O₃ в атмосфере инертного газа (Ar, Не, N₂) при давлении 40–50 кПа (осн. способ), направленной кристаллизацией из расплава при давлении паров As 32,7 кПа. Эпитаксиальные пленки получают: осаждением из раствора InAs в расплаве In при 650–700 °C; осаждением из газовой фазы: пары AsCl₃ или HCl пропускают над расплавом In, образовавшиеся при этом хлориды In переносятся в зону реакции и взаимод. с парами AsCl₃ или AsH₃ при 700 °C, давая InAs; методом молекулярно-лучевой эпитаксии (реакцией мол. пучков In и As в вакууме 10 Па с послед. осаждением на нагретую до 400–500 °C подложку). Для получения монокристаллов и пленок со свойствами полупроводников n- или р-типа используют добавки соотв. Те, Se, Sn или Zn, Cd, Mn. И. а. — полупроводниковый материал для фотоприемников ИК излучения, датчиков эффекта Холла.

^{Лит. см. при ст. индия антимонид.}

_{М. Г. Мильвидский}