индия фосфид

ИНДИЯ ФОСФИД InP

серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,586875 нм, z = 4, пространственная группа F43m); т. пл. 1070 °C; плотн. 4,787 г/см³; С°_p 46,2 Дж/(моль∙К); ΔH⁰_пл 54,6 кДж/моль, ΔH⁰_обр −90,3 кДж/моль; S⁰₂₉₈ 62,7 Дж/(моль∙К); температурный коэф. линейного расширения 4,75.10⁻⁶ К⁻¹; теплопроводность 67,2 Вт/(м∙К). Полупроводник: ε 12,1; ширина запрещенной зоны 1,42 эВ (0 К), 1,28 эВ (300 К); эффективная масса электронов проводимости т_е = 0,07m₀, дырок m_р = 0,4m₀ (m₀ — масса своб. электрона); подвижность электронов 5000 см²/(В∙с) при 300 К и 23500 см²/(В∙с) при 78 К, подвижность дырок 150 см²/(В∙с) при 300 К. Устойчив на воздухе до температуры ~ 300 °C. Взаимод. со смесями кислот — HNO₃ и HF, HNO₃ и соляной. Для травления поверхности кристаллов И. ф. с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений используют растворы Br₂ в метаноле, а также смеси H₂SO₄ с H₂O₂ и H₂O. Получают И. ф. в вакуумированных запаянных кварцевых ампулах взаимод. нагретого до ~850 °C расплава In с парами Р, давление которых составляет ~ 500 кПа. Образующийся расплав InP подвергают горизонтальной направленной кристаллизации. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского вытягиванием из-под слоя флюса жидкого В₂O₃ в атмосфере инертного газа (Ar, He, N₂) при давлении ~ 5000 кПа. Эпитаксиальные пленки получают: кристаллизацией из раствора InP в расплаве In при 700–750 °C; осаждением из газовой фазы (пары PCl₃ пропускают над расплавом In при ~ 800 °C, образовавшиеся при этом пары хлоридов In переносятся в зону осаждения и взаимод. с парами PCl₃ или PH₃ при 650–700 °C, давая InP, кристаллизующийся на монокристаллич. подложке); методом молекулярно-лучевой эпитаксии (взаимод. мол. пучков In и Р на нагретой до 500–600 °C монокристаллич. подложкe в высоковакуумной камере при давлении ~ 10⁻⁹ Па). Для получения полупроводниковых монокристаллов и пленок n-типа в качестве легирующих примесей используют Те, Se, S, Sn, а p-типа — Zn Cd. Для придания монокристаллам полуизолирующих свойств их легируют Fe. И. ф. — полупроводниковый материал для инжекц. лазеров, светодиодов, СВЧ генераторов, транзисторов, фотоприемников.

^{Лит.: Марина Л. И., Нашельскяй А. Я., Колесник Л. И., Полупроводниковые фосфиды AIII}B^V и твердые растворы на их основе, М., 1974, Мильвидский М. Г., Полупроводниковые материалы в современной электронике. М., 1986. Cм. также лит. при ст. индия антимонид.

_{М. Г. Мильвидский}