индия оксиды

ИНДИЯ ОКСИДЫ

Сесквиоксид In2O3 — светло-желтые или зеленовато-желтые кристаллы с кубич. решеткой (а = 1,01194 нм, z = 16, пространственная группа Ia3): плотн. 7,18 г/см3. Под давлением выше 6,5 ГПа при 300–400 °C образуется модификация с гексагон. решеткой типа корунда, устойчивая при обычном давлении (а = 0,5487 нм, с = 1,4510 нм, z = 6, пространственная группа R3с); плотн. 7,3 г/см3. Т. пл. 1910 °C; выше 1200 °C начинает возгоняться с диссоциацией на In2O и O2; т. кип. 3300 °C; C0p 92 Дж/(моль∙К); ΔH0пл 84 кДж/моль, ΔH0возг 272 кДж/моль, ΔH0обр −926 кДж/моль; S0298 108 Дж/(моль∙К); уравнение температурной зависимости давления пара: lgр(в гПа) = 16,478 — 27791/Т. Полупроводник n-типа, ширина запрещенной зоны 0,5 эВ (300 К). Диамагнитен. Электрич. проводимость зависит от давления O2; при ~ 10 Па наблюдается обратимый переход к металлич. проводимости. In2O3 не раств. в воде. При нагр. легко взаимод. с минеральными кислотами, при 300–500 °C — с галогенами. При 700–800 °C восстанавливается H2 и С до металла. С аммиаком при 600–630 °C образует InN, при спекании с оксидами и карбонатами металлов — индаты, напр. NaInO2. Получают In2O3 прокаливанием нитрата или гидроксида In, в виде пленок распылением индия в присутствии O2, термич. разложением паров ацетилацетоната In и др. In2O3 основа прозрачных электропроводящих пленок (обычно легированных SnO2) на стекле, слюде, лавсане и др. материалах, используемых для изготовления жидкокристаллич. дисплеев, электродов фотопроводящих элементов, высокотемпературных топливных элементов, резисторов и др., в смеси с AgO материал электрич. контактов в радиотехнике и электронике; компонент шихты спец. стекол, поглощающих тепловые нейтроны; перспективный полупроводниковый материал. Гемиоксид In2O — черное твердое вещество; т. пл. ~325 °C; плотн. 6,99 г/см3; для газа ΔH0обр −55 кДж/моль. Легко окисляется; с кислотами реагирует с выделением H2. М. б. получен (в смеси с In и In2O3) термич. разложением In2(C2O4)3. Пары In2O образуются при нагр. смеси In с In2O3, уравнение температурной зависимости давления пара: lgp (в гПа) = 10,58 — 13150/T. Соответствующий In2O3 гидроксид In(OH)3 — бесцветные кристаллы с кубич. решеткой; плотн. 4,33 г/см3. Свежеосажденный гидроксид легко взаимод. с разб. минеральными и некоторыми орг. кислотами. С разб. растворами щелочей, а также с аммиаком не реагирует. С конц. растворами щелочей образует индаты. Выше 200 °C разлагается до In2O3. Получают действием NH3 на растворы In(NO3)3, подкисленные уксусной кислотой. Используют для получения In2O3 и др. соединений In.

Лит. см. при ст. индий.

П. И. Федоров

Источник: Химическая энциклопедия на Gufo.me