локальный анализ

ЛОКАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ

определение хим. состава микрообъемов или тонких слоев твердого тела. Осн. метрологич. характеристика — локальность, т. е. площадь или объем области, в которой возможно обнаружение или определение хим. элемента с заданной погрешностью. Размер этой области по глубине наз. продольной локальностью (L||), вдоль поверхности — поперечной (L^). Анализ с низкими значениями L|| и высокими L^, осуществляемый на разл. глубине, наз. послойным. Объектами Л. а. могут быть: реальная поверхность (L|| = 1–10 нм); субмикронный слой (L|| = 10–1000 нм); поверхностный слой (L|| = 1–100 мкм); субмикронное включение (L^ = 10–1000 нм); микровключение и микроучасток (L^ = 1–100 мкм). Реальную поверхность анализируют методами оже-спектроскопии, рентгеноэлектронной спектроскопии, спектроскопии рассеяния медленных ионов (см. ионного рассеяния спектроскопия), масс-спектрометрии вторичных ионов в статич. режиме (см. ионный микроанализ). Обычно анализ проводят в высоком вакууме (10−7–10−8 Па) с помощью установок, позволяющих одновременно использовать неск. аналит. методов. В тех же установках проводят разрушающий послойный анализ субмикронных и поверхностных слоев, удаляя слои ионным травлением, лазером, искровым разрядом, хим. или электрохим. растворением. Затем определяют элементы в газовой фазе, растворе или на протравленной поверхности. Л. а. субмикронных и поверхностных слоев проводят методами рентгеноспектрального анализа (см. электронно-зондовые методы), катодолюминесцентного микроанализа, спектроскопии рассеяния быстрых ионов (резерфордовского рассеяния), масс-спектрометрии вторичных ионов в динамич. режиме, оже-спектроскопии и др. При послойном анализе субмикронных слоев без разрушения образец бомбардируют заряженными частицами (электронами, ионами). В зависимости от их энергии меняется глубина, на которой происходят процессы, приводящие к появлению аналит. сигнала — рентгеновского излучения, резонансных ядерных реакций, резерфордовского рассеяния и др. Послойный анализ можно также проводить, варьируя угол отбора, т. е. угол, под которым к исследуемой поверхности располагается приемник аналит. сигнала. Для количеств. послойного анализа экспериментально измеряют зависимости аналит. сигнала от угла его отбора, энергии бомбардирующих частиц, массы удаленного слоя и времени травления, на основании которых получают зависимость концентрации определяемого элемента от глубины слоя. При этом пользуются расчетными или более точными эмпирич. методами. В первом случае необходима теоретич. модель взаимодействия возбуждающих частиц с исследуемым образцом, во втором случае нужны образцы сравнения, в которых определяемый элемент м. б. распределен равномерно или иметь заданное неоднородное распределение (ионнолегированные образцы, гетероструктуры). При анализе многослойных гетероструктур необходимо учитывать влияние гетерог. фона и фазовой интенсивности. Гетерог. фон связан с генерированием аналит. сигнала (напр., вследствие рассеяния электронов, флуоресцентного возбуждения) в соседней с анализируемой фазе. Величина сигнала — функция расстояния от границы между фазами. Наиб. высокие систематич. погрешности могут возникать, если концентрация определяемого элемента в соседней фазе существенно больше, чем в анализируемой. Фазовая интенсивность обусловлена резким изменением аналит. сигнала в соседних фазах (слоях), которое возникает вследствие различия в специфич. эмиссионных характеристиках этих фаз (как, напр., в случае реакц. эмиссии вторичных ионов) и не зависит от содержания определяемого элемента в них. Систематич. погрешности при этом устраняют расчетными или эксперим. приемами. Л. а. субмикронных включений проводят с помощью растрового или просвечивающего электронного микроскопа (см. электронная микроскопия), оснащенного спектрометрами, регистрирующими рентгеновское излучение, эмиссию оже-электронов, характеристич. потери энергии первичных электронов и т. д. Миним. локальностью (L^ = 1–5 нм) обладают методы спектроскопии характеристич. потерь энергии электронов. Л. а. микровключений и микроучастков осуществляют электронно-зондовыми методами, ионным микроанализом и др. Oтносит. пределы обнаружения элементов в Л. а. сильно зависят от применяемого метода (от 10−6% в масс-спектрометрии вторичных ионов до 10−1% в оже-спектроскопии) и от локальности определений. Однако абс. пределы обнаружений мало зависят от локальности и составляют для мн. методов 10−14–10−16 г, а в методах спектроскопии характеристич. потери энергии электронов достигают 10−20 г. Наряду с элементным Л. а. возможен фазовый, дающий информацию о характере хим. связей в микрообъемах анализируемого вещества. Для этого используют методы, сочетающие предварит. хим. или электрохим. обработку поверхности твердых тел с послед. определением элементов методами рентгеноэлектронной спектроскопии, комбинационного рассеяния спектроскопии и др. Напр., субмикронные поверхностные слои окисляют, а затем анализируют методом катодолюминесцентного микроанализа. Аппаратура для Л. а. включает устройство для локального отбора пробы или облучения микрообъема образца (ионная или электронная пушка, лазер и т. п.), спектрометр и систему количеств. обработки аналит. сигнала, как правило содержащую ЭВМ. Л. а. используют при исследовании распределения элементов по глубине и поверхности образца, идентификации микрофаз, контроля загрязнений поверхности твердых тел.

Лит.: Методы анализа поверхностей, пер. с англ., М., 1979; Гимельфарб Ф. А.. Шварцман С. Л., Современные методы контроля композиционных материалов, М., 1979; Черепин В. Т., Васильев М. А., Методы и приборы для анализа поверхностных материалов. Справочник, К., 1982; Нефедов В. И., Черенин В. Т., Физические методы исследования поверхности твердых тел. М., 1983; Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ, пер. с англ., М., 1984.

Ф. А. Гимельфарб

Источник: Химическая энциклопедия на Gufo.me


Значения в других словарях

  1. ЛОКАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ — ЛОКАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ — определение химического состава микрообъемов или тонких слоев твердых тел. Проводят методами электронной микроскопии (в сочетании с рентгеновским спектральным анализом) — электронографии, масс-спектрометрии вторичных ионов и др. Большой энциклопедический словарь