свинца халькогениды

СВИНЦА ХАЛЬКОГЕНИДЫ

Сульфид PbS, селевид PbSe и теллурид PbТе-серебристо-серые кристаллы кубич. сингонии (типа NaCl, z = 4, пространственная группа Fт3т); при давлении выше 2,4–4,2 МПа устойчива ромбич. модификация (типа SnS, пространственная группа Pcmn). Осн. свойства С. х. приведены в таблице.

В парах С. х. обнаружены PbХ (X = S, Se, Те), Pb₂Х₂, Pb, Х₂, PbХ₂. Уравнения температурной зависимости давления пара в условиях конгруэнтного испарения: lgP_PbS (атм) = = -11597/T+ 6,61; lgp_PbSe (атм) = -11032/T+ 7,204; lgp_PbTe (атм) = — 11180/Т+ 7,45. С.х. не раств. в воде, разлагаются азотной и серной кислотами.

С.х. встречаются в природе в виде минералов галенита (свинцовый блеск) PbS, клаусталита PbSe, алтаита PbТе.

Получают С.х. взаимод. расплава или пара Pb с халькоге-ном, осаждением из водного раствора Pb(II) серо- или селено-водородом, реакцией свинецорг. соед. с халькогенорг. соединениями. Монокристаллы выращивают осаждением из газовой фазы, из расплава, методом Бриджмена — Стокбаргера или зонной плавкой (под давлением пара халькогена).

Участки диаграмм состояния PbТе, PbSe и PbS; x_i-концентрации избыточных Pb или халькогена в PbТе, PbSe и PbS, молярные доли.

Состав С.х. в зависимости от условий получения отклоняется от стехиометрического в сторону избытка халькогена (от 0,4995 до 0,5005 молярных долей Pb или до ~1∙10⁻³ молярных долей избыточного компонента, см. рис.). С изменением состава С.х. наблюдается изменение типа осн. носителей заряда, поэтому С.х. могут быть полупроводниками п- или p-гипа.

С.х. и их твердые растворы-полупроводниковые материалы в электронике и радиотехнике, напр.: PbSe-материалы для фоторезисторов, фотоприемников и излучателей в ИК диапазоне, активная среда в инжекц. лазерах; PbТе-фотопроводник при низких температурах, материал для ИК оптики.

^{Лит.: Абрикосов Н. X., Шелимова Л. Е., Полупроводниковые материалы на основе соединений АIV}В^VI, М., 1975; Новоселова А. В., Пашин-кин А. С., Давление пара летучих халькогенидов металлов, М., 1978, с. 56–73; Физико-химические свойства полупроводниковых веществ, М., 1979, с. 86–93; Зломанов В. П., Новоселова А. В., Р-Т-х диаграммы состояния системы металл-халькоген, М., 1987, с. 129–39, 183–91.

_{Я. Л. Хариф, П. В. Ковтуненко}