АРСЕНИД ГАЛЛИЯ

Синтетич. монокристалл, GaAs, прямозонный полупроводник. Точечная группа симметрии 43m, плотн. 5,31 г/см3, Тпл=1238°С, в вакууме диссоциирует при 850°С, мол. м. 144,63, тв. по шкале Мооса 4,5. Прозрачен в ИК области (l от 1 до 12 мкм). Оптически анизотропен для l=8 мкм, коэфф. преломления n=3,34; обладает высокой теплопроводностью, пьезоэлектрич., магнитооптич. и электрооптич. св-вами. Применяется как материал для полупроводниковых лазеров, диодов Гана, туннельных диодов и др. полупроводниковых приборов.